ハイブリッド化ナノ構造ものづくり支援 超微細加工領域 平成19年度支援 成果報告書 平成２０年５月 学校法人トヨタ学園 豊田工業大学 本報告書は、文部科学省の平成１９年度産学官連 携支援事業事業による委託業務として、学校法人 トヨタ学園 豊田工業大学が実施した平成１９年度 「中部地区ナノテク総合支援：ナノ材料創製加工と 先端機器分析（ハイブリッド化ナノ構造ものづくり 支援：超微細加工領域）」の成果を取りまとめたも のです。 従って、本報告書の著作権は、文部科学省に帰 属しており、本報告書の全文又は一部の無断複製 等の行為は、法律で認められたときをのぞき、著 作権の侵害にあたるので、これらの利用行為を行 うときは、文部科学省の承認手続きが必要です。 目 次 １．委託業務の目的 ・・・１ ２．平成１９年度の実施内容 ２．１ 支援成果の目標と実施内容 ・・・１ ２．２ 支援体制 ・・・３ ２．３ 支援要素と支援の内容及び主な設備 ・・・４ ２．４ 支援概要 ・・・６ ＜支援成果報告＞ H19-01 カーボンナノチューブ探針の作製 吉村 雅満 ・・・８ H19-02 早期フィードバックによるＬＳＩの品質向上 蘆田 勉、宮崎 誠二、麻生 福子 ・・・１０ H19-08 カーボンナノチューブ探針を用いた磁気力顕微鏡による高分解能 磁区観察 田仲 圭 ・・・１２ H19-09 カーボンナノチューブ探針の作成とその応用 前田 康二, 目良 裕, 吉村 雅満 ・・・１３ H19-13 InAs量子ドットの電子物性 ・・・１５ 田中 一郎 H19-15 ナノレベルで膜厚を制御した透明導電膜の光学特性評価 吉野賢二、小山哲史、小嶋稔 ・・・１７ H19-17 可視光用超高速空間光変調器の研究開発 近藤 直樹 ・・・１９ H19-18 結晶シリコン太陽電池用受光面銀ペーストの焼成挙動について 仙田 愼嗣, 吉野 泰, 加藤 夕子 ・・・２１ H19-19 GaSb/GaAs系ナノ構造の原子スケールでの構造評価 藤井 健輔, 小柴 俊 ・・・２２ H19-20 プラズマCVDによる薄膜作製と構造評価 吉野賢二、小嶋稔 ・・・２４ ３．成果の外部への発表 ・・・２５ ４．活動（運営委員会等の活動等） ・・・２７ １．委託業務の目的 １．１ 委託業務の課題 拠点課題名： 「中部地区ナノテク総合支援：ナノ材料創製加工と先端機器分析」 機関業務名： ハイブリッド化ナノ構造ものづくり支援 （超微細加工領域） １．２ 実施機関 機関名： 学校法人トヨタ学園 豊田工業大学 住 所： 〒468-8511 愛知県名古屋市天白区久方2-12-1 １．３ 委託業務の目的 本事業は、豊田工大、分子研、名大、名工大の愛知県内４機関が連携することにより、中部地 区ナノテクノロジー総合支援拠点を形成し、ナノ計測・分析、超微細加工、分子・物質合成の３ 領域において、超高磁場NMR、先進電顕等の最先端機器利用、有機・生体関連分子等の設計合成評 価、最先端設備技術を用いた半導体超微細加工等を総合的に支援する。 各要素単体の支援に留まらず、４機関の特徴を活かした連携融合支援を推進する。 特に本学においては、シリコンプロセス技術を基盤として、化合物半導体、カーボン系、有機物 等の薄膜構造形成や、各種ナノ構造体の形成、評価を支援する。さらにそれらのハイブリッド加 工と評価を中心とした「超微細加工」領域における支援を実施する。 ２．平成１９年度の実施内容 ２．１ 支援成果の目標と実施内容 支援成果の目標 ①シリコン超微細加工用要素プロセス技術と評価の支援 主としてシリコン系プロセス装置を利用して、各 種素子構造の試作とともに、各種の機能物質とシリ コンとの複合化プロセスおよび評価などを進める。 特に、リソグラフィ用のマスク作製や電子線描画に よる直接露光、イオン注入や熱拡散による不純物導 入、酸化やウェットおよびドライエッチング等、一 連の要素プロセスを提供する。また、試作プロセス の途中および完了後の構造や物性の評価を、関係研 究室の支援を受けて実施する。 実施内容 共同利用クリーンルームとして、企業5件、 大学3件の計8件の支援を行った。シリコン薄 膜関係ではCVD法によるナノ結晶薄膜や酸化 膜等の作成評価、複合化プロセスとしては均 一な金微粒子の作成、デバイス関係では、窒 化シリコン薄膜の内部応力の評価、細菌検出 のためのマイクロ流路作成、および、集積回 路の故障解析に関連するテーマ等である。い ずれも、一連のシリコンプロセスを揃えた本 施設の特徴を活かした技術支援である。 ②３次元フォトリソグラフィなどによる（微細）デバイス構造の製作と評価の支援 ナノ構造など微細デバイス製作には平面フォトリ ソグラフィが利用されるが、MEMSデバイスなどでは ３次元的加工が重要となる。その種のデバイス製作 に適用するため、フォトレジストスプレー成膜と高 度制御露光装置を組み合わせたオリジナルな３次元 フォトリソグラフィを開発・応用し、これを用いて 新規デバイス構造の製作を支援する。 新規の技術であり、上期は開発・調整を行い、10 月以降にデバイス試作が可能な状態に立ち上げる。 1頁 ３次元リソグラフィ用のフォトレジストのス プレー成膜装置は８月から稼働した。レジス トの成膜実験の依頼が外部（香川大学）から あり、サンプルの立体形状に適合した成膜条 件を見出した。また、企業からの相談を１件 受けた。露光については、ランプハウスの納 品が遅れたが、１２月からは露光処理も可能 となった。立体サンプルを露光するための斜 め露光用ツールも用意でき、立体サンプルへ のレジスト成膜、パターニング、段差計によ る膜の評価装置が稼働している。 支援成果の目標 実施内容 ③化合物半導体ナノ構造の形成（および、有機物との複合化）と評価の支援 化合物半導体ナノ構造の形成のために、MBE（分 子線エピタキシー）によるAlGaInAs系、AlGaInSb系 のナノ薄膜、超格子、量子ドットなどの形成を行 う。これらのナノ構造の光物性（蛍光と光吸収特 性）および電子物性（伝導特性）などを計測評価 し、原子間力顕微鏡による構造の計測と評価も実施 する。 有機物薄膜の形成と評価支援については、OMBE （有機分子線エピタキシー）による有機薄膜構造の 形成に加えて、電子物性（伝導特性）や光物性（蛍 光と光吸収特性）、原子間力顕微鏡による構造の計 測と評価などを本年の10月より実施する。 他大学からのナノ素子・ナノ材料の研究グ ループからの依頼３件に対応した。 まず香 川大学のグループに対し、歪と相互拡散が重 要となるGaAs/GaSb系の超格子試料をMBE成長 法で作成して提供し、Ｘ線回折による構造解 析を行った。 他の２件は、InAsを用いたデ バイス構造と量子井戸の吸収飽和を用いた空 間光変調器に関するものである。素子の設計 に関する技術協議と予備実験を行った。来年 度以降、本格的な試料作製を進めるととも に、素子特性の計測に関する協力へと進展さ せる。 ④フラーレンナノ構造の作製と評価および化合物半導体・シリコンナノ構造の評価の支援 分子線エピタキシー装置によるC60（エピタキ シャル）薄膜の作製支援、ならびに、化合物半導 体、シリコン、フラーレンなど半導体ナノ構造の物 性評価の支援を行う。 新規支援であり、本年度上 期までは試験的な支援とし、下期より通常支援を実 施する。 シリコン系半導体およびその上に形成する電 極形成に関して、薄膜の作成と特性評価のた めの支援として、主に以下の支援を実施し た。 ・ナノレベルで膜厚を制御した透明導電膜の 光学特性評価支援。 ・太陽電池用アモルファスシリコンの成膜と 光学特性評価支援。 ・太陽電池用電極材料の焼成による表面の変 質、拡散の評価支援。 ⑤カーボンナノプローブ・ナノチューブおよび金属微粒子の形成と評価の支援 ナノ機能デバイスを実現することを目的として、 カーボンナノチューブ(CNT)成長に加えて、CNTを用 いたナノプローブ顕微鏡によるナノ構造評価を行 う。また、短パルスYAGレーザー照射によるナノ・ マイクロ構造の加熱、および、抵抗加熱型真空蒸着 による金属微粒子の形成の支援を行う。 2頁 化学気相成長法並びにナノマニピュレータ法 によるカーボンナノチューブ探針の製作を 行った。またプローブ顕微鏡による薄膜材 料，磁気材料の評価を行った。レーザー照射 による金属微粒子形成支援に関しては、光学 系の改良によって照射エネルギー密度の均一 性を向上させ、得られる微粒子の構造制御性 を高めた。 ２．２ 支援体制 １. 業務責任者 役職・氏名 豊田工業大学大学院 教授 榊 裕之 E-メールアドレス：[email protected] TEL：052-809-1706 FAX：052-809-1741 ２. 実施場所 ・豊田工業大学共同利用クリーンルーム ・大学院工学研究科（各担当者研究室） ３. 業務項目（支援要素名）別実施区分及び担当者 支援要素名 担当責任者及び担当者 大澤 潤准教授（施設長） ①シリコン超微細加工用要素プロセス技術と評価の支 近藤憲司施設専任職員 援 梶原健専任支援員 ②３次元フォトリソグラフィなどによる（微細）デバ 佐々木 実教授 イス構造の製作と評価の支援 ③化合物半導体ナノ構造の形成（および、有機物との 榊 裕之教授 複合化）と評価の支援 神谷 格教授 山口 真史教授 ④フラーレンナノ構造の作製と評価および化合物半導 大下祥雄准教授 体・シリコンナノ構造の評価の支援 小島信晃助教 ⑤カーボンナノプローブ・ナノチューブおよび金属微 吉村 雅満准教授 粒子の形成と評価の支援 柳瀬 明久准教授 ４. 経理担当者 役職・氏名 豊田工業大学事務局 企画部副部長 山下 勝次 E-メールアドレス：[email protected] TEL：052-809-1749 FAX：052-809-1741 3頁 ２．３ 支援装置 支援要素と支援の内容及び主な設備 ①シリコン超微細加工用要素プロセス技術と評価の支援 主な支援項目： クリーンルームの、主としてシリコン系プロセス装置を利用して、各種素子試作や各種機 能薄膜等との複合化プロセスと評価を担当する。化合物系では、シリコン系と分離したホト リソ、洗浄、ウェットエッチング等の薬品処理も実施可能である。 主に以下の項目をおこなう。 ①アライナ用のマスク作製や電子線描画による直接露光 ②イオン注入や熱拡散による不純物導入プロセス ③ウェットおよびドライエッチングプロセスなど ④試作プロセス途中および完了後の評価（必要に応じて関係研究室の支援による） 主な設備： マスク作製装置、EB露光装置、 マスクアライナー、RIE装置、 イオン注入装置、酸化・拡散炉、 スパッタ装置、ダイシング装置、 ワイヤーボンダ等のウェハー プロセス装置、 エリプソメータ、 ライフタイム測定器、 Ｃ－Ｖ測定器 等 クリーンルーム 電子線描画装置 ②３次元フォトリソグラフィなどによる（微細）デバイス構造の製作と評価の支援 主な支援項目： 平面および立体サンプルのリソグラフィ加工に対応。レジスト成膜とパターニングに関連 した、オリジナル機器を活用。 主な設備： ３次元フォトリソグラフィ装置一式。 スプレー成膜装置 ③化合物半導体ナノ構造の形成（および、有機物との複合化）と評価の支援 主な支援項目： 分子線エピタキシー法によるⅢ－Ⅴ族（AlGaInAs、AlGaInSb系）のナノ薄膜、超格子、量 子ドットなど、半導体ナノ構造の形成、並びに薄膜蒸着による有機物との複合化。 上述のナノ構造の電子物性（移動度・磁気伝導・トンネル分光など）及び光物性（蛍光・ 吸収・光伝導性）の計測と評価。 主な設備： MBE、有機ＭＢＥ、蛍光および 光吸収の分光計測、蛍光寿命測定、 弱磁場ホール効果・強磁場伝導率 計測装置、半導体解析装置、 原子間力顕微鏡 等 分子線結晶成長装置 4頁 走査プローブ顕微鏡 ④フラーレンナノ構造の作製と評価および化合物半導体・シリコンナノ構造の評価の支援 主な支援項目： 分子線エピタキシー装置によるC60（エピタキシャル）薄膜の作製支援。化合物半導体、シ リコン、フラーレン等半導体ナノ構造の物性評価支援。 結晶性解析Ｘ線回折装置（ロッキングカーブ測定、逆格子空間マッピング測定、極点図解 析等）。 主な設備： X線光電子分光装置（元素分析、化学結合状態、 電子状態分析、空間マッピング測定可能）。 DC & ACホール効果測定装置（交流磁場を 使用したACホール効果測定により高抵抗試料 （～1012Ω）の測定が可能）。 フォトルミネッセンス測定装置（励起レーザ： LD励起グリーンレーザ（波長532nm）、 He－Cdレーザ(波長325nm)､測定温度：4.2～500K、 空間マッピング測定可能）。 分光エリプソメトリ装置 （測定波長：350～1700nm、入射角可変）。 太陽電池特性分光感度測定装置 （照射面積20×20mm2、照射強度 100mW/cm2（AM1.5）） ⑤カーボンナノプローブ・ナノチューブおよび金属微粒子の形成と評価の支援 主な支援項目： 高性能センサー等のデバイス素子を実現することを目的とした、局所部位へのカーボンナ チューブ(CNT)成長支援。高分解能プローブ顕微鏡探針等への応用が可能。CNT探針を用いた プローブ顕微鏡によるナノ構造評価。短パルスYAGレーザー照射によるナノ，マイクロ構造の 加熱。抵抗加熱法による真空蒸着の支援。 主な設備： カーボンナノチューブ成膜装置（マイクロ波500W、 熱ＣＶＤも可能）。 CNT探針－原子間力顕微鏡 （原子～ナノメートルオーダーの空間分解能）。 ナノ秒パルスYAGレーザー装置 （波長532 nm，エネルギー200 mJ／パルス）。 真空蒸着装置。 カーボンナノチューブ成膜装置 5頁 平成19年度支援内容 支援機関名 課題番号 支援機能名 業務形態名 実施課題名 申請者の所属 申請者 役職 年齢 主な利用装置名 - ダイシング 10 64 無機ドラフト 14 - ＬＰＣＶＤ 2 - プラズマＣＶＤ 2 （公開猶予） 58 レジストスプレー コータ 4 46 ダイシング 3 （公開猶予） アライナー 67 07-01 超微細加工 技術代行 カーボンナノチューブ探針の作製 豊田工業大学 吉村雅満 准教授 07-02 超微細加工 装置利用 集積回路の故障解析 アルエイド㈱ 蘆田勉（あしだつとむ） 部長 07-03 超微細加工 装置利用 （公開猶予） （公開猶予） 07-04 超微細加工 技術代行・装置利用 （公開猶予） 07-05 超微細加工 装置利用 （公開猶予） 07-06 超微細加工 技術代行・装置利用 （公開猶予） パターンジェネレー タ 07-07 超微細加工 技術代行・装置利用 （公開猶予） 40 （公開猶予） 豊田工業大 学 07-08 超微細加工 協力研究 カーボンナノチューブ探針を用いた磁気力顕微鏡に ㈱大同分析リサーチ 田中圭 よる高分解能磁区観察 07-09 超微細加工 技術代行 カーボンナノチューブ探針の作成とその応用 東京大学 大学院工 前田 康二 学系研究科 07-10 超微細加工 協力研究 （公開猶予） （公開猶予） 07-11 超微細加工 技術相談 立体サンプルのフォトリソグラフィ技術に関する相談 07-12 超微細加工 装置利用 （公開猶予） （公開猶予） 07-13 超微細加工 協力研究 InAs量子ドット中の電子状態 和歌山大学エコとピ 田中一郎 ア科学研究所 07-14 超微細加工 技術相談 カーボンナノチューブ深針作製に関する相談 07-15 超微細加工 技術代行・装置利用 ナノレベルで膜厚を制御した透明導電膜の光学的 特性評価 宮崎大学工学部電 子工学科 吉野賢二 技術主任 教授 教授 准教授 5 アライナー 11 電子線描画 2 ＲＩＥ 6頁 主な利用装置 の利用日数 13 - 走査型プローブ顕 微鏡 1 60 ナノマニピュレータ 5 55 走査型プローブ顕 微鏡 1 - - - - SPM/SEM 52 - - - - - 41 紫外・可視・近赤外 分光光度計 2 10 支援機関名 課題番号 支援機能名 07-16 豊田工業大 学 超微細加工 業務形態名 装置利用 実施課題名 申請者の所属 （公開猶予） 申請者 役職 - （公開猶予） 07-17 超微細加工 協力研究 可視光用超高速空間光変調器の研究開発 帝京大学理工学部 情報科学科 07-18 超微細加工 技術相談・装置利用 結晶シリコン太陽電池用受光面銀ペーストの焼成 挙動について ㈱ノリタケカンパニー 仙田愼嗣 リミティッド 07-19 超微細加工 技術代行・協力研究 GaSb/GaAs系ナノ構造の原子スケールでの構造評 香川大学 価 07-20 超微細加工 技術代行・装置利用 プラズマＣＶＤ法による薄膜作成と構造評価 宮崎大学工学部電 子工学科 注１．必要に応じて行数を増やして記載して下さい 注2．成果公開猶予については課題名覧に「公開猶予」を記載してください 注3．年齢については以下の記号を記載下さい（a：30代未満、ｂ：30から40才未満、ｃ：40から50才未満、ｄ：50才以上） 7頁 年齢 近藤直樹 講師 37 グループ リーダー 27 小柴俊 教授 吉野賢二 准教授 41 主な利用装置名 主な利用装置 の利用日数 ダイシング 1 エリプソメータ 3 MBE 1 りん拡散炉 2 プラズマＣＶＤ 2 MBE 1 プラズマＣＶＤ 1 技術代行 豊田工大 H19-01 カーボンナノチューブ探針の作製 Fabrication of Carbon Nanotube Probes 吉村 雅満 Masamichi Yoshimura 豊田工業大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Toyota Technological Institute Pd 内包カーボンナノチューブ(CNT)は，走査型プローブ顕微鏡(SPM)用の探針先端材料（特に電気特 性評価用）として有望である．本研究では，探針材料と同一のシリコンウェハ上に化学気相成長法に より Pd 内包 CNT を成長し，その直径や密度が触媒調整条件によりどのように変化するかを調べると ともに，Pd 内包 CNT の構造解析を行った． Since the metal-filled CNT is expected to provide larger radial rigidity, higher mechanical and thermal stability than the conventional hollow nanotube, it would be suitable for the tip of scanning probe microscopy (SPM). Here we report synthesis of Pd-filled CNTs onto the silicon substrate by microwave plasma enhanced CVD technique. Their structure is also studied by SEM, TEM and Raman spectroscopy. 背景と研究目的： カーボンナノチューブ （CNT）は 1991 年の飯島氏による発見以来 [1]， ナノテクノロジーを先導するナノ物質の一つと して大きな期待がかけられている．アプリケー ションの一つとして，走査型プローブ顕微鏡（Ｓ ＰM）用の探針がある． 昨今，CVD によって Si 基板上に Pd 内包 CNT が合成された[2]．Pd 内包 CNT の最大の 特徴は，マイクロメートル長の Pd ナノワイヤ ーを CNT 中空全体に内包する事であり，先端 成 長 あ る いは 根 元 成長 し た 一般 の 金 属内 包 CNT より機械的強度，伝導性，径方向の剛性な どの向上が期待される．本研究では，Pd 内包 CNT を SPM 探針へ応用するため，Pd 内包 CNT の配向成長，及び直径制御を目的とする． 実験： マイクロ波プラズマ励起化学気相成長 法（MPECVD） （CVD-CN-100, Ulvac Japan）を 用いてSi 基板上にPd 内包CNT を合成した． Si 基板は5 mm×5 mm の形状で，アセトン中で 超音波洗浄した後，真空蒸着法を用いて，バッ ファー層であるAl を10 nm 蒸着した．さらにス パッタリング蒸着法により，Pd を5 nmから40 nm と変化させて蒸着した．基板をCVDチャン バー内に挿入後，触媒表面の活性化のため水素 プラズマエッチングを行った．この時に導入す るH2 の流量は80 sccm (standard cc/min)，圧力は 1.7 Torr，電極にかけるバイアス電圧は－100 V， 処理時間は3min である．CNT 成長プロセスで は導入するH2 およびCH4 の流量はそれぞれ80， 20 sccm，全圧は1.7 Torr，バイアス電圧は－200 V， 成長時間は10 min とした．マイクロ波の周波数 と電力は2.45 GHz，500 W である．合成したCNT は，電界放出型電子顕微鏡（FE-SEM,Hitachi S4700），高分解能透過型電子顕微鏡（HR-TEM, JEOL, JEM200EX），共鳴ラマン分光法（Jovin Yvon, LabRAM HR800）により評価した． 結果、および、考察： Fig.1 に最適条件とし て Pd (30 nm)/Al (10 nm)/Si 基板上に成長した 8頁 CNT の SEM 観察像を示す．個々の CNT は独 立し，垂直方向に高配向成長している．高倍率 像である Fig.1(b)を見ると CNT 中空部分に明る いコントラストが見られ， Pd がチューブ内に内 包されていることがわかる．この CNT 中空部分 への Pd の内包は毛細管力によると考えられる [3]． Fig.2 に Pd 膜厚を変化させて成長させた CNT のラマンスペクトルを示す．1330 cm-1 付 近にあるピークは欠陥に起因する D バンド， 1590 cm-1 付近にあるピークは結晶性に起因す る G バンドである．これより MPECVD によっ て合成された CNT の結晶性において多少もん だがあると言える．また (c)のスペクトルには， Pd が CNT 中空部分全体に内包されたときに 報告されている D*バンド[2]が観察されている． Fig.3 は Pd (10 nm)/Al (10 nm)/Si の MPECVD 後の HR-TEM 観察像と，視野(a)での電子回折 像を示す．CNT 中空部分全体に Pd が内包され， その周りに結晶性の低いグラファイトがチュー ブ状に覆っている．Fig.3(b)のスポット A はグラ ファイト(002)に対応し，d 値より層間隔が 3.48 Å と見積もることができる．スポット A の広 がりは，結晶性と周期性の低さによると考えら れる．また，B, C, D はそれぞれ Pd(111), Pd(200), Pd(111)に対応し， 今回内包されている物質は fcc –like Pd であるという結論に至った． 今後の課題： 今回作成した Pd 内包カーボン ナノチューブの結晶性は低く，カーボンナノチ ューブの物理的特性が生かされない可能性があ る．今後結晶性を高めるとともに，SPM 探針へ の合成を行う予定である． Fig.1: (a) Low magnification SEM image of CNTs grown on Pd (30 nm)/Al (10 nm)/Si. (b) High magnification SEM image of the CNTs Fig.1 (a). Fig.2. Raman spectra from (a) Pd (1 nm)/Al (10 nm)/Si, (b) Pd (10 nm)/Al (10 nm)/Si., and (c) Pd (30 nm)/Al (10 nm)/Si. 謝辞： 本研究は，豊田工業大学，坂本友和氏， Chien-Chao Chiu 博士，上田一之教授，及び大 同分析リサーチ，田仲圭博士との共同研究であ る．名古屋大学篠原久典教授にはラマン測定に おいて協力を頂いた．深く感謝したい． 論文発表状況・特許出願 [1] T. Sakamoto et al., NCNC Conference, Taipei 2008.5, 発表予定． Fig.3. Raman spectra from (a) Pd (1 nm)/Al (10 nm)/Si, (b) Pd (10 nm)/Al (10 nm)/Si., and (c) Pd (30 nm)/Al (10 参考文献 nm)/Si 1) S. Iijima: Nature 354 (1991) 56. 2) Y. Hayashi et al.: Diamond & Related Materials 14 (2005) 790. 2) L. H. Chan, et al.: Thin Solid Films 423 (2003) 27. 9頁 装置利用 豊田工大 H19-02 早期フィードバックによるＬＳＩの品質向上 Quality Improvement of LSI by Quick feed back 蘆田 勉、宮崎 誠二、麻生 福子 Tsutomu Ashida, Seiji Miyazaki, Fukuko Asou アルエイド株式会社品質保証部 AL-AID Corporation Quality Assurance Dept. ファブレスＩＣメーカーに於ける、ＩＣの品質の確保と改善の為の早期フィードバック法確立の検討 を実施した。その結果、豊田工業大学でのクリーンルームを利用したパケージ開封作業と当社での設 計・開発用のＬＳＩテスター・プローバを活用する事により、品質不良品は、外部委託先工場に解析 依頼前にでも不良原因の推定ができ、早期に品質改善に対する処置を取ることが出来た。 From the point of Fabless IC maker ,We tried to establish the quick feed back methods to keep and improve the quality of IC. At the results, By opening the IC packages in the clean-room of Toyota Technological Institute and using AL-AID's LSI tester and prober ,we can suppose the failure reasons of the quality defective devices before asking out-source makers analyzing of failure devices and we have taken quick actions on quality improvement. 背景と研究目的： 当社はＩＣの開発・設計 及び販売を実施し、製造は外部の半導体メーカ ーに委託するファブレスＩＣメーカーである。 品質保証に関して、委託先の半導体メーカーが 個々に実施する出荷保証試験に並行して、当社 でも独自に設計実験室の環境下ではあるが、抜 き取り出荷保証検査を実施している。 万一不良を発見した場合半導体メーカー又は 解析機関に解析依頼するが、尐しでも早いフィ ードバックを実施するために、豊田工業大学の クリーンルームを利用し設計環境下での効果的 な不良解析を試みた。 今回ＩＣの特定ロットでウエハテスト直後に オリエンテーションフラットの反対側の一部 （以後上部と表現）の小領域のみに使用最大電 圧（22Ｖ）のテストでリーク電流不良の偏在が 見られた。 不良偏在部の良品チップのみをパッケージ実 装し、最大定格の 25Ｖ、125℃で 24 時間高温動 作試験した結果、焼損するＩＣが発生した。 ゲート膜圧等の工程及びトランジスター等の 10 頁 モニターデバイス電気特性では異常が見られず、 下記のように不良症状を明らかにするための解 析を実施した。 実験： 125℃、最大定格 25Ｖで高温動作試験 実施。 動作不良になった不良品を早速解析のため外 部の生産委託先工場に送るとともに、当社でも 並行し豊田工業大学のクリーンルームを利用し、 ＩＣをパッケージを発煙硝酸で上部のみ樹脂を 溶かしチップを露出させた(Fig.１）。 その後チップ表面に液晶を塗布し、ＩＣ端子 に電圧を懸けるとＰチャネルバッファートラン ジスターで発熱観察された(Fig２）。 このロットは品質的問題が有ると判断し、工 程流動を止めるとともに、親会社の旭化成マイ クロシステム株式会社品質保証部解析ＧにＩＣ を持ち込み、 電圧印加した状態で ORBIC(Optical Beam Induced Resistannce Chage:Fig３）及びエミ ッション顕微鏡（Fig４）で不良解析した。 結果、および、考察： Ｐチャネルバッファー トランジスターの LOCOS 酸化膜とゲートポリ Si の交点で異常が見られ、 異常点が特定できた。 異常原因の究明の為に引き続 FIB(Focused Ion Beam) で IC 異 常 部 の 垂 直 断 面 を 作 成 し 、 SEM(Scannng Electron Miccroscopy)で観察する と LOCOS 酸化膜近傍のゲート酸化膜に直径 10nm 程度の破壊部が確認できた。 メーカの方でもほぼ同じ解析結果が出てきた ので、両社討議し原因を推定したが、前後ロッ トの異常、工程モニター、生産装置、結晶表面 エッチ結果でも異常がなく、原因の特定には至 らなかった。 症状的に、IPA 乾燥等洗浄、ゲート膜・LOCOS 膜生成時のプロセス異常も考えられ、本ロット はロットアウトにした。 更に予防処置として、ウエハーテスト時の印 加電圧を現在の使用最大電圧(22V)より最大定 格電圧（25V)へ、測定温度も常温より125℃にま で上げストレステストと素早い異常検知法を導 入し品質改善に役立てた。 Fig.1. The IC package opened in the clean-room of Toyota Technological Institute. 今後の課題： 今回はＩＣテスターでの不良症 状確認、樹脂開封、プロバーと液晶により、結 果的には、その後のＩＣ解析機器による精密解 析結果と一致する、簡易解析でも不良原因の推 測が付き、問題を拡大せずに素早い対応がとれ た。今後は豊田工業大学のクリーンルーム装置 をさらに活用させてもらい、早期フィードバッ クで更なる品質向上に努めていきたい。 Fig.2. The defect point pointed out by Liquid Crystal. 論文発表状況・特許出願 該当なし。 謝辞：今回に実験のために豊田工業大学のクリ ーンルームを利用に便宜を図って頂いた豊田工 業大学の大沢准教授、ORBIC、エミッション顕微 鏡、断面 SEM の測定でご援助願った旭化成マイ クロシステム株式会社品質保証部沢渡部長他解 析Ｇの皆様に感謝いたします。 キーワード ・ ORBIC(Optical Beam Induced Resistance Change）:電圧印加したＩＣに、赤外レーザを局 所的に照射し、そのときの異常電流変化をモニ ターし異常電流経路を特定する。 ・エミッション顕微鏡：電圧印加したチップ内 の異常リークによる微小発光や異常発熱による 赤外放射を検出することで、チップ内の故障箇 所を特定する。 OBIRCH 明反応箇所 Fig.3. The defect point pointed out by ORBIC. ゲート酸化膜を突き抜け て基盤まで破壊が達して いる事を確認できます。 Fig.4. The defect point Fig.4. The defect point pointed out by Emission pointed out by SEM(Crossectional View). Microscope. 11 頁 協力研究 豊田工大 H19-08 カーボンナノチューブ探針を用いた磁気力顕微鏡による高分解能磁区観察 High-resolve observation of magnetic domain by magnetic force microscopy with carbon-nanotube tip 田仲 圭 Kei Tanaka 株式会社大同分析リサーチ DAIDO BUNSEKI RESEARCH, INC. 本研究の目的は、カーボンナノチューブ探針を用いて得られる高分解能磁気力像から、各種磁石材 料の微細な磁区構造を解釈し、その磁力発生機構を解明することである。本年度は、試料形態、着磁 率等の磁気力顕微鏡観察に適切な各種条件を探索するために、Nd-Fe-B 系磁石に対して従来探針を用 いて磁区観察を行った。その結果、4T の磁界中で磁化を行った試料では磁区の観察が困難であった が、減磁した状態では観察が可能になることが分かった。 We have aimed to clarify the magnetic property of various magnet materials. The magnetic force maicroscopy (MFM) with a carbon nanotube (CNT) tip is possible to observe the high-resolution magnetic images, which is very important information for clarification of above property. In this collaboration, we performed the MFM observation using conventional tip for the determination of the optimum conditions. In the case of demagnetization Nd-Fe-B magnetic sample, the MFM images were clearly observed. CNT探針で観察したMFM像は従来探針のそれ に比べて磁区が明瞭に観察されていることがわ かる。従って、CNT探針を用いた高分解能MFM 像観察は、各種磁石材料の磁力発生機構解明の 糸口になることが期待される。本年度は、MFM 観察に最適な各種実験条件を明確にするため、 Nd-Fe-B系磁石に対して従来探針を用いて磁区 観察を行った。 背 景 と 研 究 目 的 ： カ ーボ ン ナノ チ ュー ブ (CNT)探針を用いた磁気力顕微鏡(MFM)は従来 よりも詳細な磁区観察を可能とする。例として 図 1 に 1000 kilo flux changes per inch (kfci) の記録密度で書き込まれた磁気記録媒体を従来 探針と CNT 探針で観察した MFM 像を示す。 (a) 結果及び、考察：4T の磁界中で磁化を行った Nd-Fe-B 系磁石材料に対して MFM 観察を行お うとしたところ、試料から発生する強い磁力の ために試料の固定が困難であり、MFM 観察が 不可能であった。そこで、脱磁を行い、減磁し た状態の試料の観察した結果、良好な磁気力像 が得られることが分かった。 今後の課題：今後は本年度の実験で得られた最 適条件をもとに CNT 探針を用いた高分解能磁 気力像観察を行う。 500nm (b) 500nm 図 1 1000kfci で書き込まれた磁 気記録媒体の MFM 像 (a)従来探 針 (b)CNT 探針 論文発表状況・特許出願 該当なし 12 頁 技術代行 豊田工大 H19-09 カーボンナノチューブ探針の作成とその応用 Fabrication and Applications of Carbon Nanotube Tips 前田 康二 a, 目良 裕 a, 吉村 雅満 b Koji Maedaa, Yutaka Meraa, Masamichi Yoshimurab a 東京大学工学系研究科, b 豊田工業大学 aThe University of Tokyo, bToyota Technological Institute カーボンナノチューブ(CNT)を STM 探針に用いて CNT１本の光吸収スペクトルを測定することに初 めて成功した。さらに、CNT 探針の光学応答を調べたところ、期待していた強い非線形性を示唆する 結果を得、CNT 探針を用いた新しいナノ分光法への応用の可能性が開けた。 The photoabsorption spectrum of a single carbon nanotube (CNT) was successfully measured for the first time by using the CNT as an STM tip. The optical response of the CNT tips showed a signature of an expected nonlinearity, which opens a new opportunity for applications of CNT tips to optical spectroscopy with nano-scale resolution. 背景と研究目的： カーボンナノチューブ （CNT）はフラーレンに続く炭素のみからなる 新物質として爆発的な研究発展を示し、現在 様々な応用が考えられている。なかでも、CNT のナノスケールで極めて細長い形状と高い機械 的強度、化学的安定性などの特徴は、STMや AFMなど走査プローブ顕微鏡の探針に最適で あるとして少なからぬ研究があり、またその有 効性が実証されている。本研究は、筆者が開発 中のSTM光ナノ分光法へのCNT探針の応用を念 頭に、CNTが光と特異な相互作用を示すことに 着目したものでる。 今回の実験では、豊田工大で作成した２層 CNT（DWNT）探針を用い、1)開発中のSTM― 光吸収フーリエ変換(FT)分光法1)により探針 DWNTの電子構造を評価できることを示すこと、 2)探針と試料間にレーザー光を照射すると、 DWNT探針の場合だけ光熱膨張効果によらない 非線形光学応答による光整流電流と解釈できる 信号が観測されることを示すことを目的とした。 実験： 試料は、化学研磨したW探針または市 13 頁 Fig. 1 SEM images of a DWNT/W tip (left) and DWNT/Pt-Ir tip (right). 販のPt-Ir探針(PicoTip)の先端にAldrich社の DWNT１本を豊田工大のナノテク支援装置を用 い接着させたものである。図１に、実験に用い たDWNT探針のSEM写真の例を示す。実験は、 東大の２種類のSTM装置を用い行った。目的1) については、UNISOKU社の超高真空低温STM を用い、Au薄膜を試料にして、FT干渉計を通過 した白色光を探針に照射し、光吸収に伴う光伝 導電流を信号に使い、探針DWNTの光吸収スペ クトルの測定を試みた。目的2)については、 JEOLの超高真空STMを用い、HOPGを試料にし て、Tiサファイアレーザーからの800nm光を光 熱膨張効果を低減するために偏光変調し、集光 光学系を経てDWNT探針と試料のギャップに照 dI/dV 20x10 -9 1.1eV 15 5 0 0.0 0.5 Voltage [V] 1.0 Fig. 2 STS spectrum of a DWNT/W tip and Au sample. Signal Intensity (rel. unit) 25x10 -3 DWNT/W tip Au sample 20 15 10 5 0 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 Photon Energy (eV) 1.6 0.4 30 0.2 20 dI/dV 40x10 ← 10 → -0.2 0 -0.5 0.0 V(V) 0.5 1.0 Fig. 4 STS spectrum of a DWNT/Pt-Ir tip and HOPG sample. V=-0.2V,Current<1nA V=-0.2V,Current<1nA V=+0.2V 15 10 5 0 -5 -10 -10 -5 0 5 Distance-Modulated Signal/Current(pA/nA) 10 Fig. 5 Correlation of photo-modulatd signal and distance-modulated signal in combinations of HOPG sample and a Pt-Ir tip with (blue) and without (green and red) a DWNT on the top. 図４は用いた DWNT/Pt-Ir 探針と HOPG 試料 の組み合わせに対する STS 測定の結果で、この 場合の DWNT は金属的である。この探針・試料 のトンネルギャップに変調光を当てると発生す るトンネル電流の被変調信号には、光熱膨張効 果による興味対象外のものと非線形光学応答に よる光整流電流によるものとが含まれる。前者 は、人為的に探針・試料間距離を変調したとき の信号(図５縦軸)とはその時間ゆらぎが相関す るはずで、実際図５に示すように、Pt-Ir 探針で は信号はもっぱら光熱膨張効果によるものであ るのに対し、DWNT/Pt-Ir 探針では、距離変調信 号ゆらぎに相関しない光整流電流と解釈可能な 成分が存在することが確かめられた。光整流信 号を増大させる効果が期待される、探針の仕事 関数低下も DWNT/Pt-Ir 探針で観測された。 10 -0.5 -3 0.6 0.0 Polarization-Modulated Signal/Current(pA/nA) 結果、および、考察： １）探針DWNT１本の光吸収スペクトル測定2) 図２に、DWNT/W探針を用いてSTS測定で得 られたdI/dVのサンプルバイアス依存性を示す。 試料が金属であることから、半導体的特性は探 針を構成する半導体DWNTの電子構造を反映し たものと考えられる。同じ探針を用いて90Kで STM-PAS-FT法1)により測定した光応答スペク トルを図３に示す。1.1eV付近にピークが観測さ れるが、このピークはFT干渉計の可動反射鏡の 掃引速度を変えても位置が変わらないことから、 外来雑音によるものではない。1.1eVは図２で観 測されるDWNTのバンドギャップとほぼ等しく、 本測定法によって、たった１本のCNTの光吸収 測定が可能であることが示された。なお、0.75eV 付近にも信号があるように見えるが、その起源 は再現性も含め今後の課題である。 I(nA) 射した。トンネル電流から偏光変調に同期する 信号をロックイン検波した。 1.8 Fig. 3 STM-PAS-FT spectrum at 90 K representing photoabsorption signal of a single DWNT attatched to the W tip apex. ２）DWNT 探針の非線形光学応答 3) CNT の電子構造の van-Hove 特異性は大きな 共鳴的非線形光学応答効果を、またその鋭い形 状は大きな光電場増強効果をもたらすことが期 待される。STM ナノ分光法においても、これら を積極的に利用することによって、量的にも質 的にも、新しい顕微分光法を開発できる可能性 がある。今回は非線形応答によって生じるトン ネル電流の光整流成分の検出を試みた。 14 頁 今後の課題： STM ナノ分光法への応用という 意味で期待通りの結果になったが、各種補正や 再現性の問題も残っている。S/N 比向上の余地 があるので、系統的測定を含め実験を続けたい。 参考文献 1) Nobuyasu Naruse et al., J. Appl. Phys., 102 (2007), 114301-1. 2) Nobuyasu Naruse et al. unpublished. 3) 藤原貴之, 修士論文(東京大学), 2008. 技術相談 豊田工大 H19-13 InAs 量子ドットの電子物性 Electronic properties of InAs quantum dots 田中 一郎 a Ichiro Tanakaa 和歌山大学システム工学部 Wakayama University 申請者のグループでは InAs 量子ドットを中心とした量子構造薄膜の電子物性計測を行ってきている。 特に単一量子ドットの共鳴トンネル伝導計測のためには、薄膜構造と表面近傍における電界分布の検 討を進める必要があり、これに関わる問題点と実験計画を討議した。 We have been extensively studying the electronic properties of InAs quantum dots. Resonant tunneling measurement has been one of the methods we have been employing for single quantum dots. However, such measurements suffer surface effects, resulting in complicated distribution of electrical fields induced in the thin film and near-surface. Methods and ideas to overcome such difficulties have been discussed. 背景と研究目的： 半導体量子ドット 1)の研究は、MBE による自 己形成 InAs ドットの作製が報告 2)されて以来、 大きく発展をしてきた。 その形成過程、形状 の様な構造の情報 3)はもとより、電子伝導や光 物性と云った電子物性の計測 4)が盛んに行われ てきている。 自己形成量子ドットはランダムプロセスを利 用している事から、その大きさ・形状・空間分 布に関する制御には限界があり、多くの報告で は、こうした構造が異なる量子ドットのアンサ ンブルに関する測定に限られていた。 しかし、 近年、試料に微細加工を加える事で、マイクロ フォトルミネセンス（-PL）計測等により単一 量子ドットについての物性 5)が得られる様にな り、大きさや個別の構造の振る舞いを明らかに する事が可能となってきた。 こうした中、申請者らは導電性の探針を用い た原子間力顕微鏡（AFM）を利用し、単一量子 ドットを介した共鳴トンネル分光に注力してき た。6) この手法により、既に InAs 量子ドット の他、液相合成された CdSe ナノ粒子の共鳴ト ンネル伝導の計測に成功している。7) しかし、こうした微小電流の計測（～pA）は 容易ではない。 そのため、豊田工大保有の環 境制御型 AFM の利用を求めると共に、試料の 構造に改良を加えた上で、同大で所有している 真空一貫 MBE 装置を利用して試料作製も行う 事を考え、可能性を議論した。 討議結果： 図１にこれまで用いてきたサンプル構造と計 測の概要を示す。 表面に形成された大きめの InAs ドットを電極代わりに AFM 探針を立てて、 n+ GaAs 基板の裏側との間にバイアス電圧を印 加する。8,9) この時、厚さ数十 nm の u.d. GaAs 層が InAs ドット電極と n+ GaAs との間にあるた め、通常では電流は殆ど流れない。 ここに AlAs 層に挟んで InAs ドットを積んでおくと、 この InAs ドットを介したトンネル伝導によっ て共鳴トンネル電流を得る事が出来る。 15 頁 この結果、図２に示す様な I-V 特性が得られ る様になったが、ここに至るまで、InAs ナノ電 極の利用や AlAs 層の挿入等の数々の工夫があ った。 しかし、予想より大きなバイアス電圧 を印加しないと共鳴トンネル効果が生じないと いう問題があり、これはナノ電極利用故に、電 極周囲の固定化された表面電位の影響が大きく、 電極直下の電界分布が歪むためと考えられる。 こうした課題への取り組みとして、電界分布 に歪みを来たす原因と推測される表面フェルミ レベルピンニングの影響を低減する試料構造の 検討や表面処理によるフェルミレベルピンニン グそのものの制御、と云った可能性が挙げられ た。 今後の課題： 来期は、上記の討議に基づき、試料の構造や その表面処理に工夫を加えた試料を作製し、計 測を試みる事とした。 論文発表状況・特許出願 9) I. Tanaka, Y. Tada, S. Nakatani, K. Uno, M. Azuma, K. Umemura, I. Kamiya, and H. Sakaki, Phys. Stat. Solidi C, in press (2008). Fig. 1. Schematic diagram of the sample and its conduction band profile. 今期は技術相談・討議のみであった。 参考文献 1) Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40 (1982) 939. 2) D. Leonard, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. Denbaars, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3203. 3) T. R. Ramachandran, R. Heitz, P. Chen, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 640. 4) M. Grundmann, O. Stier, and D. Bimberg, Phys. Rev. B52 (1995) 11969. 5) I. Shtrichman, C. Metzner, B. D. Gerardot, W. V. Fig. 2. Typical I-V spectrum obtained from the measurement described in Fig. 1. The resonant tunneling peak is observed at around 1.65 V. Schoenfeld, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B65 (2002) 081303. 6) I. Kamiya, I. Tanaka, Y. Tada, K. Uno, M. Azuma, and H. Sakaki, J. Cryst. Growth 278 (2005) 98. 7) I. Tanaka, E. Kawasaki, O. Ohtsuki, K. Uno, M. Hara, H. Asami, I. Kamiya, Surf. Sci. 532-535 (2003) 801. 8) I. Tanaka, I. Kamiya, H. Sakaki, N. Qureshi, S. J. Allen, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 844. 16 頁 技術代行・装置利用 豊田工大 H19-15 ナノレベルで膜厚を制御した透明導電膜の光学特性評価 Optical properties of TCO nano material 吉野賢二、小山哲史、小嶋稔 Kenji Yoshino, Satoshi Oyama, Minoru Oshima 宮崎大学工学部電気電子工学科 University of Miyazaki スプレー熱分解法で作製した nondoped および In-doped ZnO 薄膜の光学特性評価を行った。２種類 の光透過測定により、ヘイズ率を算出した。In を添加することにより、ヘイズ率が減尐することを示 唆した。 Transparent conducting of non-doped and In-doped ZnO thin films were deposited on glass substrates by spray pyrolysis method. Haze factor estimated from two kinds of optical transmittance decreased by In-doping in ZnO films. 背景と研究目的： 透明導電膜は、高い電気 伝導度と高い可視光透過率を併せ持つものであ り、現在、フラットパネルディスプレイ(FPD) や太陽電池などさまざまな分野で利用されてい る。代表的な透明導電膜の材料として In2O3、 SnO2、 ZnO な ど が あ る 。 な か で も Sn を 添 加 し た In2O3(ITO)は安易に 10-4 Ωcm 台の低抵抗が得ら れる。 しかし、ITO の材料である In は希尐金属であ り、価格が高いという難点がある。また、原料 の In や Sn に加えて ITO 粉末の毒性が懸念され ている。加えて近年、FPD や太陽電池などの透 明電極用途での ITO 需要の恒常的な増大とは相 まって In 需要の増大が指摘されており、ITO 透 明導電膜における省 In や脱 In 透明導電膜材料 が注目されている 1)。SnO2 膜は、比較的安価な 材料であるが、エッチング加工と低温成長に難 があり、用途が大幅に限定される。これに対し て、ZnO は安価で豊富、毒性に問題のない材料 である。このことから、ZnO は ITO にかわる透 明導電膜の材料として注目されている 1）。 ZnO は、室温で約 3.3 eV のバンドギャップを 持つ直接遷移半導体であり、結晶構造は六方晶 系のウルツ鉱構造に属している。ドーパントと して主に 3 価金属（B、Ga、In、Al）の原子が使 われている。表面にテクスチャ構造をもつ膜が 安易に形成でき、それは成膜技術および成膜条 件により制御できることより、太陽電池、特に CIS 系の透明電極として注目されており、その ほか FPD 等の安価な透明電極や窓用コーディン グ材としても期待されている材料である 2)。 17 頁 薄膜作成法として、マグネトンスパッタリン グ法、レーザ分子線エピタキシー(MBE)、イオン ビームスパッタリング法、有機金属化学成長 （MOCVD）法、ゾル・ゲル法、スプレー熱分解法 等の各技術を用いられている。特にスプレー熱 分解法は、大気中での成膜が可能なため他の成 膜法と比べて簡単で低コスト、比較的多くの時 間を必要とせず作成できる利点がある。本研究 では、スプレー熱分解法で、ZnO 薄膜の作成を 行った。さらに、最適条件で作成したサンプル を使い、アニールを行い透過率の測定を行った。 実験： スプレー熱分解法により ZnO 薄膜を 作成した。実験条件としては、ヒータで 500 C に加熱したガラス基板上に、不純物として使用 した In 濃度を 1～5mol% まで変化させて作成し た。さらに、もっとも低抵抗が得られたサンプ ルを、窒素雰囲気中にて、温度を 100～600 C 変化させてアニールを行った。透明導電膜の重 要なパラメータである透過率は、垂直に透過す る光のみを拾う垂直と、透過して散乱した光を 拾える積分球の 2 種類を用いて測定した。また、 積分球型、垂直型検出器を用いた透過スペクト ルから、ヘイズ率を算出した。 結果、および、考察： これまで、窒素雰囲 気中にて、アニール時間を 5 分間、アニール温 度を 100～600 C に変化させた。アニール前は c 軸に配向しており、その配向性はアニール温 Fig. 1 に、可視域 (380～780 nm) の平均透 過率とヘイズ率を示す。non-doped ZnO 薄膜の 積分球の平均透過率は、アニール前は 90%以上 であり、アニール後も 100 C 以外のすべての状 態で 90%以上の高い透過率を得られた。垂直型 では、アニール前、アニール後ともに 80%以下 の低い透過率となった。In-doped ZnO 薄膜の平 均透過率は、アニール前では 90%であり、アニ ール後は多尐減尐するが 85%以上の高い透過率 を得られた。垂直型もすべての状態において 85%以上の平均透過率が得られた。non-doped ZnO 薄膜のヘイズ率は、アニール前は 15%だった。 そして低温でアニールをすると 200 C で 20%ま で増加した。しかし中温、高温でのアニールで は減尐した。In-doped ZnO 薄膜のヘイズ率は、 アニール前は 6%以下と非常に低い値になり、ア ニール後も変化はなかった。太陽電池に使われ ている F-doped SnO2(FTO)透明電極のヘイズ率 は 35％程度である 4)。non-doped ZnO 薄膜のヘ イズ率だとその値に近い値を得ることができた が、In をドープすることで表面がフラットな膜 になった。 今後の課題： In を添加することで、ヘイズ率 の減尐を突き止めた。おそらく表面のラフネス の影響と考えらるが、詳細を突き止める。 Fig. 1 Average transmittance and Haze factor 度を高くするとさらに向上した。また、SEM に よる表面写真でも、低温処理域、中温処理域で は、粒径に均一性がみられようになった。この 配向性の向上と粒径の均一性により、結晶性が 向上し、低温処理域、中温処理域では温度が高 くなると移動度が高くなり、抵抗率が減尐した。 キャリアの散乱機構としては、アニール温度が 100～300 C ではイオン化不純物散乱もしくは 中性不純物散乱が、350～600 C では粒界散乱 が支配的に働き、アニール温度 300～350 C に かけて、散乱機構が変化していると考えた３）。 積分球での透過スペクトルは non-doped ZnO 薄膜、In-doped ZnO 薄膜ともに、アニール前は 90%以上の透過率で、アニールをすることで、多 尐透過率は落ちるがそれでも 85%以上の高い透 過率を示した。長波長域では、non-doped ZnO 薄膜、In-doped ZnO 薄膜の透過率が減尐した。 これは自由電子吸収であり、赤外波長領域のプ ラズマ共鳴波長で入射光が強く吸収される。特 に In-doped ZnO 薄膜のキャリア濃度は 1019 cm-3 と高く、non-doped ZnO 薄膜と比べて長波長域 の透過率は減尐している。 18 頁 論文発表状況・特許出願 該当なし 参考文献 1) 南内嗣, 応用物理, 75, (2006), 1218. 2) 花 田 貴 , 高 恒 柱 , 八 百 隆 文 , 応 用 物 理 , 72, (2003), 705. 3) K. Yoshino, S. Oyama, M. Kato, M. Oshima, M. Yoneta and T. Ikari, J. Phys. 100 (2008) 082019. 4) S. Major, A. Banerjee, K. L. Chopra, Thin Solid Films, 108 (1983), 333. 協力研究 豊田工大 H19-17 可視光用超高速空間光変調器の研究開発 Research & Development of Ultrafast Spacial Light Modulator for Visible Light 近藤 直樹 a Naoki Kondoa 帝京大学 理工学部情報科学科 Teikyo University 半導体ナノ構造光デバイスの超高速性のイメージング応用の一環として、量子井戸の光吸収変調を用 いた、可視光用の透過型空間光変調器を作製することとした。光生成キャリアの分布制御の可能性を 探るため、GaSb 濡れ層挿入 GaAs QW 構造を作製し、フォトルミネッセンス測定による評価を行な った。結果、GaSb 濡れ層の形成を表す発光が確認されたが、挿入による GaAs 量子井戸準位の変化は 見られなかった。 As an attempt to exploit ultafast optical response of semiconductor nanostructures for imaging technologies, we started to develop transmissive spacial light modulator for visible light using absoption modulation of quantum wells. In order to investigate the possibility of the control of the photo-carrier populations, novel GaSb wetting layer-inserted GaAs MQW structure is fabricated and its optical properties are probed by photoluminescence(PL) measurements. Though the formation of GaSb wetting layers was successfully identified from PL spectra, expected energy shifts of QW levels were not observed. 背景と研究目的： 半導体量子ナノ構造の光 学応答は、量子閉じ込めシュタルク効果 1)や、 キャリア注入による吸収飽和・クエンチング 2) などにより、大きな変調を加える事が可能であ り、またその応答速度はピコ秒域と超高速であ ることが知られている。これらの性質は従来、 高速光通信用途によく用いられてきた。 本研究は、この超高速性を可視光域でのイメ ージング用途に用いる事で、現在イメージング 用途に用いられている光変調機構である機械式 シャッターや液晶などをはるかに上回る速度を 実現し、超高速イメージングや新用途への展開 を図るものである。具体的には、光吸収飽和を 利用した、可視光用の透過型多重量子井戸空間 光変調器の作製を行う。 量子井戸を使った空間光変調器の研究開発に は、いくつか先行例 3),4)があるが、課題としては、 ・可視光域での実現 ・低消費電力の実現 が挙げられる。 本年度は後者の問題へのアプローチの一つで ある、空間分離された光誘起電子－正孔対の作 る電界による量子閉じ込めシュタルク効果を利 用した、低消費電力タイプの全光型空間光変調 器の作製に向け、電子をストアする層の量子準 位の制御を目的に、GaSb 濡れ層を挿入した GaAs量子井戸構造を作製し、その量子準位をフ ォトルミネッセンス測定で評価した。 19 頁 実験： 図１に試料構造を示す。100Å GaAs/AlGaAs量子井戸６層および100ÅGaSb濡 れ層挿入GaAs/AlGaAs量子井戸６層が積層され ている。 試料はヘリウム循環式のクライオスタットで 4Kまで冷却し、励起光源にはNd:YAGレーザの ２倍波を利用し、フォトルミネッセンス測定を 行なった。 6 period Al0.4GaAs 100 Å GaAs 100 Å Al0.4GaAs 100 Å … 6 period Al0.4GaAs 100 Å Sb soaking 50s Al0.4GaAs 500 Å GaAs 100 Å n-GaAs 50 Å Al0.4GaAs 500 Å GaAs buffer 3000 Å S.I. GaAs(100) sub. Fig. 1. Layer design of GaSb WL-inserted GaAs MQW structure. PL Intensity （a.u.） 今後の課題： 透過型光変調器の実現のために は、基板による光吸収を取り除かなくてはなら ない。現在、本サンプルに対するエッチングに よる基板除去のテストを行なっている。これが できるようになった場合にはまた、直接の吸収 測定などによる、より精細なスペクトロスコピ ーが可能になると思われる。 可視光用途を GaAs/AlGaAs 系で実現するの は、単純な量子井戸では可能なバンドギャップ の値から考えて困難である。現在、超格子疑似 合金（SLAM）5)構造を採用した可視光用量子井 戸構造を設計し、数値解析中である。 GaAs 100 Å … 結果、および、考察： 図２に本試料構造か らのフォトルミネッセンスの分光結果を示す。 1.4eV 付近に幅の広いピーク群が見られるが、 これは GaSb 濡れ層からのものと思われる。し かし、量子井戸からと思われる発光ピークは１ つしかなく、GaSb 挿入による量子井戸準位の 変化は見られなかった。一般に、濡れ層は大き なポテンシャル揺らぎを持つため、量子井戸の 発光ピーク形状にさえ変化がほぼ見られないの は奇妙だが、原因は今のところ不明である。 GaAs cap 50 Å Al0.4GaAs 100 Å 4.5 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 x 10 4 QW T=4K λ exc=532nm Exc. power 40mW Spot size = 0.5mm2 approx. 1.3 GaSb WL 1.4 Bulk GaAs 1.5 1.6 Photon Energy （eV） 1.7 Fig. 2. PL spectra of GaSb WL-inserted GaAs MQW structure. 参考文献 1) D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Wiegmann, T. H. Wood and C. A. Burrus, Phys. Rev. Lett., 53, 2173 (1984) 2) H. Sakaki, H. Yoshimura and T. Matsusue, Jpn. J. Appl. Phys., 26, L1104 (1987) 3) N. T. Pelekanos, B. Deveaud, J. M. Gerard, H. Haas, U. Strauss, W. W. Ruhle, J. Hebling and J. Kuhl, Optics Letters, 20, 2099 (1995) 4) Stephane Junique, Qin Wang, Susanne Almqvist, Jianhua Guo, Henk Martjn, Bertrand Noharet and Jan Y. Andersson, Applied Optics, 44, 1635 (2005) 5) H. Sakaki, M. Tsuchiya and J. Yoshino, Appl. Phys. Lett., 47, 295 (1985) 20 頁 技術相談・装置利用 豊田工大 H19-18 結晶シリコン太陽電池用受光面銀ペーストの焼成挙動について Firing behavior of front side Ag for crystalline silicon solar cells 仙田 愼嗣, 吉野 泰, 加藤 夕子 Shinji senda, Yoshino yasushi Yuko kato (株)ノリタケカンパニーリミテド NORITAKE CO., LIMITED 結晶シリコン太陽電池用銀ペーストの焼成時の挙動を解明し、高い出力の得られる銀ペーストを研究 することを目的として、 平成 19 年度 3 月から装置利用を開始している。 P 型シリコンウエハ上にＮ層、 SiNx 反射防止膜を作製し、作製したセルを使用した出力評価を行った。 Ag thick-film contacts are used for the front side metallization of crystalline silicon solar cells. The paste is screen-printed on the si n+ emitter covered by a SiNx anti-reflection coating. The focus of this study is to develop high-efficiency crystalline silicon solar cells understanding physical and electrical properties of Ag thick-film contacts. 背景と研究目的：現在、太陽電池市場は急速に 拡大しており、その市場の中でも大部分を結晶 シリコン太陽電池が占めている。受光面側には 銀ペーストが裏面側にはアルミペーストと銀ペ ーストが電極として用いられており、さらなる 高効率化、低コスト化への要求が高まる中で、 それらに対応するためには電極ペーストの焼成 挙動を解明し、ペースト組成、焼成条件を最適 化することが必要となる。本件は結晶シリコン 太陽電池用電極ペーストにおいて特に受光面銀 ペーストにおける焼成挙動の解明を目的とし、 高い出力を得られる銀ペーストを研究する。平 成19年度3月から技術相談・装置利用を開始して おり、まずは予備的試験を１ヶ月間で行った。 作製したセルの電気的特性の評価を行った。 実験： 市販のシリコン基板 (ｐ型, 抵抗率1～ 10 (Ωcm) CZ:110, 厚さ:350μm)を用い、オキシ 塩化リン(POCl3)、窒素、酸素の混合ガス雰囲気 で熱処理を行うことにより、n層を形成した。そ の後、プラズマCVDを用い、SiH4ガス及びNH3 ガスを原材料として反射防止膜（シリコン窒化 膜）を成膜形成した。作製した基板上に、裏ア ルミ電極、表銀電極ペーストをスクリーン印刷 法で付着・乾燥後、焼成した。焼成条件は4条件 で行った。ソーラーシュミレーターを使用し、 今後の課題： 高効率で低コストな太陽電池を 作製するために、焼成挙動及び導電機構の解明 が求められている。そのためには、Ag ペースト 中の成分による表面の変質、拡散等の研究を行 うことが必要である。そこで、基板作製条件を 検討し、スクリーン印刷でセルを作製すること で、電気的特性と微構造解析を行っていく。 結果、および、考察： 表 1 に電気的特性評価 結果を示す。焼成条件を変えることで異なる結 果が得られ、電気的特性を評価できることがわ かった。今後、安定に基板を作製できる N 層、 SiNx 反射防止膜の形成条件を検討する必要が ある。 Table 1 Influence of firing condition on cell properties. 焼成条件 ① ② ③ ④ Jsc -2 / mA cm 20.1 18.1 18.5 21.0 Isc /A 0.89 0.80 0.82 0.93 Voc / mV 550 561 554 561 論文発表状況・特許出願 該当なし 21 頁 P /W 0.17 0.14 0.15 0.24 ｆｆ 0.354 0.320 0.323 0.463 η /％ 3.9 3.2 3.3 5.4 技術代行・協力研究 豊田工大 H19-19 GaSb/GaAs 系ナノ構造の原子スケールでの構造評価 Evaluation of GaSb/GaAs nano-structure in atomic-scale 藤井 健輔, 小柴 俊 Kensuke Fujii, Shyun Koshiba 香川大学工学部 材料創造工学科 Faculty of Engineering, Kagawa University GaSb/GaAs 量子ドット形成時において，GaSb 濡れ層の厚さ制御のための基礎的研究として，As と Sb の inter-mixing を抑制させるために行う Sb ソーキングによって形成される GaSb 層の厚さを X 線回折 法により解析した．Sb ソーキング層は 200 Å の GaAs 層を挟み 12 層形成した．その結果，50 秒間の Sb ソーキングを行った場合，それにより形成される GaSb 層の厚さは約 1.22 分子層であることが分か った． The structural of GaSb/GaAs dots were ivestigated by x-ray difraction technique. The observed thickness of GaSb layers were to be 1.22 monolayer, which were formed by Sb soaking process of 50 second in order to suppress inter-mixing between As and Sb atoms. 背景と研究目的： 化合物半導体により形成 される量子ドット(QD, Quantum Dot)は，レーザ ーや単一光子発生源，トランジスタ，メモリな どの光・電子デバイスへの応用研究が盛んに行 われている．中でもGaAs基板上に形成される GaSb QDは，Type-IIと呼ばれるバンド構造を持 ち，電子と正孔が空間的に分離され，物理的に 非常に興味深い特性を示す．これまで，GaAs 基 板 上 に 形 成 さ れ る QD の 材 料 と し て は ， In(Ga)Asが主体的に研究されており，その成長 機構は，一般的にはWetting Layer（WL）と呼ば れ る 二 次 元薄 膜 上 に三 次 元 島構 造 が でき る Stranski-Krastanow（S-K）様式であることが知ら れている．GaSb QDの場合もこれと同様S-K様式 の成長機構を示すが，IV族元素であるSbとAsの inter-mixingなどの影響によって，ドット形成時 におけるGaSb WLの厚さは成長条件に大きく左 右される．本研究では分子線エピタキシャル成 長(MBE, Molecular Beam Epitaxy) 法を用い， GaAs基板上に形成されるGaSb QDの成長機構， 特 にGaSb WLの厚 さと As との混晶 状態を 光 学・電導特性評価及び構造解析により解明する ことを目的する．今回はX線回折(XRD)法により 構造解析を行った結果について報告する． 実験： 今回MBE法により作製したGaSb/GaAs 超格子構造(SL, Superlattice)は， GaAs(001)基板上 にGaAsバッファ層を5000 Å積層した後，200 Å のGaAs層と50秒間のSbソーキングを交互に12 回繰り返し積層した．GaSb/GaAs超格子を成長 した後AlGaAsを積層し，最後に80 ÅのGaAsによ りキャップした(Fig. 1)． GaSb/GaAs SL の構造解析には XRD 装置 (XRD_6100, SHIMAZU)を用いて GaSb と GaAs により形成される周期構造について解析した． 結果，および，考察： Fig. 1 に XRD により観 測した GaAs(004)面近傍の回折スペクトルを示 す．赤破線は Cu K1，青破線は Cu K2 による 22 頁 SL のサテライトピークである．このサテライト ピーク間隔より GaSb/GaAs による周期長が 190.6 Å であることを確認した．設計層厚との誤 差は10%であり，反射高速電子回折(RHEED, Reflection high-energy electron diffraction)による GaAs 成 長 速 度 の 観 察 誤 差 範 囲 内 で あ る ． GaSb/GaAs SL により回折される 0th ピークより GaSb 層の層厚を解析した結果，7.43 Å であるこ とを確認した．この層厚は GaSb 層が 1.22 分子 層(ML, monolayer)であることを示しており， GaSb により形成される Wetting Layer が観測さ れたと考えられる． XRD の解析結果より，GaSb/GaAs SL 構造を 確認することはできたが，GaSb 層が Wetting Layer であるかは光学特性評価や透過型電子顕 微鏡による断面観察が必要である．今後はこれ らの測定・観察法を用いた解析を試みる． Fig. 1. GaSb/GaAs SL design structure. 参考文献 3.8 4 +5th +4th +3rd −1st −2nd −3rd −4th 2 10 +2nd 4 10 0th GaAs (004) : Cu K GaAs (004) : Cu K = 190.60 Å aave = 5.6190 Å LGaSb = 1.2189 ML = 7.4304 Å −5th log Intensity (arb. units) S1758 +1st 6 10 4.2 (00L) Fig. 2. XRD rocking curves around the (004) peak of the GaSb/GaAs SL structure. The satellite peaks originated from the SL structures were observed. 23 頁 技術代行・装置利用 豊田工大 H19-20 プラズマ CVD による薄膜作製と構造評価 a-Si film Grown by plasma CVD 吉野賢二、小嶋稔 Kenji Yoshino, Minoru Oshima 宮崎大学工学部電気電子工学科 University of Miyazaki プラズマ CVD 法で、多結晶 FTO, 多結晶 ITO 基板上に、アモルファスシリコンを作成した。可視光 域において、バンドギャップによる吸収が観察された。近赤外域では、自由電子による吸収で、透過 率が低下した。 a-Si thin films on FTO and ITO substrates were successfully grown by plasma CVD. Absorption of the bandgap was observed on both samples in visual region. Transmittance decreased by free electron in IR region. 背景と研究目的： アモルファスシリコンの原 子配列は、規則正しい原子配列をもつ結晶シリ コンとは異なり、不規則となっている。そのた め、アモルファスシリコンは、結晶シリコンに 比べて、光と格子の相互作用が大きく、それだ け光をより多く吸収することができる。したが ってアモルファスシリコン太陽電池では薄膜化 が可能で、1µm 以下の膜厚で発電すること可能 である 1)。 結晶シリコンに比較して、アモルファスシリ コンは以下のような違いがある。 ・エネルギーギャップが大きい ・光吸収係数が大きい ・移動度が低い ・キャリアの寿命が短い ・安価で大面積の薄膜を作ることができる 通常の禁制帯に相当するアモルファスシリコ ンの光学バンドギャップは、約 1.4～1.8 eV（結 晶シリコンの場合 1.1 eV）の大きさを持つ。 SiGe や SiC などの混晶とすることで変えること ができる。また電子が遷移する際にフォノンを 介する必要がないため、光吸収係数が非常に高 くなる 1)。 本研究では、両面受光型太陽電池を作成する ために、まず透明電極上に、アモルファスシリ コンを作成し、光学的評価を行った。 実験： グロー放電で発生するプラズマ中で SiH4 を分解し、a-Si 膜を作成した。グロー放電 法は、低圧の原料ガスを含む容器内に、直流ま たは高周波の電界を加えることによって発生す るグロー放電によりガスがプラズマ状態に励起 され、その中で分解反応と基板上への析出が起 こる。基板には、多結晶 FTO 基板、多結晶 ITO 基板を使用し、比較として、Si(100)基板と石英 ガラスを用いた。 結果、および、考察： プラズマ CVD 法を用い て、多結晶 FTO、多結晶 ITO 基板上に、アモル ファスシリコンを作成した。不純物は添加せず、 作製した試料は、n 型伝導を示した。室温での 光吸収スペクトルにおいて、可視光域、400～ 900nm にバンドギャップと思われる吸収が観察 された。これは、シリコンより大きく、報告さ れているデータとほぼ一致している 1)。近赤外 領域では、自由電子と思われる吸収により透過 率が低下した。このことは、作製した試料は、 キャリア（特に電子）が多く存在していること を示している。 今後の課題： 電気伝導性を制御し、pn 接合を 行い、太陽電池の作成を行う。 論文発表状況・特許出願 該当なし 参考文献 1) 森垣和夫、米沢富美子、嶋川晃一, 固体物理, 37, (2002), 1. 24 頁 平成1９年度支援成果による発表件数(H20年3月末時点） 拠点名 機関名 原著論文発表 (内 (内 和文 投稿中) 英文等 投稿 プレス発表・解説記事等 (内 (内 国内 投稿中) 海外 投稿中) 口頭発表（講演） (内 (内 国内 申込中) 海外 申込中) 計 機能名 計 計 計測・分析 0 0 超微細加工 0 0 8 1 中部地区ナ 豊田工 分子合成 0 0 ノテク総合 業大学 極限環境 0 0 支援 計 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 8 0 1 0 注１： 空欄に数値を記入してください 注２： 査読のあるプロシーディングは論文とみなす、査読のないプロシーディング等（和文、英文、その他）は口頭発表とする 注３： プレス発表・解説記事等 には、原著論文以外の紙上発表を記入する 25頁 特許出願 国内 0 9 0 0 9 海外 0 計 0 0 0 0 0 0 論文寄稿 業務コード 実施 和誌/ 年度 洋誌 19 論文タイトル 発表者名 発表誌名 発表者名 講演会名 巻 号 ページ 掲載年月 支援機能名 洋誌 該当なし 講演 業務コード 実施 国内/ 年度 国際 7008049 19 国際 7008049 19 国内 7008049 19 国内 7008049 19 国内 7008049 19 国内 7008049 19 国内 7008049 19 国内 7008049 19 国内 7008049 19 国内 講演タイトル Utilization of Carbon Nanotubes as Tips of Scanning Probe Microscopy (Invited) ハイブリッド化ナノ構造も のづくり支援 M. Yoshimura 榊裕之 豊田工大支援の全体説明 榊裕之 側面へのパターニング技 佐々木実、大平文和 術 細菌の高感度検出を可能 中野圭洋、安池雅之、梶 にするマイクロ流路チップ 原建、大澤潤 の作製 吉村雅満、坂本友和、 カーボンナノチューブ付プ Chien-Chao Chiu、太田圭 ローブ顕微鏡探針の作製 一、田仲 圭、上田一之 パルスレーザー加熱によ 柳瀬明久 る単分散金属微粒子の作 製 多結晶シリコンデバイスの 大下祥雄、小椋厚志、山 ための熱酸化メカニズム 本直矢 の研究 化合物半導体ナノ構造の 神谷格、福井康生、大森 作製と物性計測 雅登、榊裕之 発表年月日 2007.11 超微細加工領域 ACSIN-9 国際ナノテクノロジー総合展 (nano tech 2008) 中部地区ナノテクノロジーネッ トワーク年度末成果報告会 中部地区ナノテクノロジーネッ トワーク年度末成果報告会 2008.2 超微細加工領域 2008.3 超微細加工領域 2008.3 超微細加工領域 中部地区ナノテクノロジーネッ トワーク年度末成果報告会 2008.3 超微細加工領域 中部地区ナノテクノロジーネッ トワーク年度末成果報告会 2008.3 超微細加工領域 中部地区ナノテクノロジーネッ トワーク年度末成果報告会 2008.3 超微細加工領域 中部地区ナノテクノロジーネッ トワーク年度末成果報告会 2008.3 超微細加工領域 中部地区ナノテクノロジーネッ トワーク年度末成果報告会 2008.3 超微細加工領域 プレス発表 業務コード 実施 年度 19 発表タイトル 支援機能名 掲載新聞名 掲載日 該当なし 26頁 支援機能名 メモ メモ 特許 業務コード 実施 年度 19 発明の名称 発明者 出願人 出願登録 区分 出願番号 （出願日） 出願 区分 受賞者氏名 所属機関名 受賞年月 出願国 登録番号 （登録日） 支援機能名 該当なし 受賞 業務コード 実施年度 7008049 19 受賞件名 第7回日本表面科学会中部支部 学術講演会講演奨励賞 坂本友和 豊田工業大学 27頁 受賞理由 （本プロジェクトとの関係） Pd内包カーボンナノチューブの成 2007.12 長制御 メモ メモ 平成19年度研究会等の集会 支援機関名 研究会名称 機関代表者打合せ 主催機関名 分子科学研究所 日時 場所 4月19日15時～ 安保ホール 第1回ナノテクノロジー・ネットワーク NIMSナノテクノロ 総会 ジー拠点 7月12日 超微細加工グループ会議 平成19年度成果報告会 特記事項 拠点長、機関代表者他 筑波産総研 拠点自己紹介、第1期状況説明、セン ター事業年間スケジュール等 拠点長、機関代表者他 11月30日 名古屋大学 超微細加工領域の連絡会議 ナノネット超微細加工関係代 表者 1月29日 東京虎ノ門パス トラルホテル 各拠点の活動状況報告等 拠点長、機関代表者他 NIMSナノテクノロ ジー拠点 2月13～15日 東京ビックサイト 各拠点の活動状況報告等 拠点長、機関代表者他 拠点内4機関共催 3月18日12時～ 19日15時 分子科学研究 所 全体概要、成果報告 計7件報告 ポスタセッション6件実施 機関関係者他 産総研 注１．必要に応じて行数を増やして記載して下さい 28頁 9名 内容 拠点運営に関する打合せ 第２回ナノテクノロジー・ネットワーク NIMSナノテクノロ 総会 ジー拠点 豊田工業大 国際ナノテクノロジー総合展 学 参加者数 72名 平成19年度支援実績(H20年3月末時点） 委託事業 支援状況 拠点名 支援機関 名 支援機能名 申請件数 支援件数 計測・分析 支援日数 申請件数 支援件数 超微細加工支援日数 中部地 申請件数 区ナノ 豊田工業 支援件数 テク総 大学 分子合成 支援日数 合支援 申請件数 支援件数 極限環境 支援日数 申請件数 支援件数 支援日数 計 注１： 注２： 注３： 注４： 注５： 注６： 利用形態 利用機関 共同研究 装置利用 大企業 中小 大企業 中小 大企業 中小 大学 公 合計 大学 公 合計 大学 公 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 企業 企業 企業 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 10 2 0 0 6 2 18 2 3 0 0 0 1 1 5 0 5 1 0 0 5 1 10 2 0 0 6 2 18 2 3 0 0 0 1 1 5 0 5 1 0 0 5 1 104 80 0 0 27 32 163 80 2 0 0 0 1 1 4 0 87 70 26 31 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 10 2 0 0 6 2 18 2 3 0 0 0 1 1 5 0 5 1 0 0 5 1 10 2 0 0 6 2 18 2 3 0 0 0 1 1 5 0 5 1 0 0 5 1 104 80 0 0 27 32 163 80 2 0 0 0 1 1 4 0 87 70 0 0 26 31 空欄に数値を記入してください 機関内利用は内数として（機関内）に記入下さい 一つの採択テーマにおいて複数回支援した場合は一つと数える。ただしその支援が複数機関、あるいは同一機関内でも複数領域にまたがる場合はそれぞれ別に数える 大学は大学、高等専門学校等の教育機関 公は公的研究機関（国研、独法、財団、地方自治体等の試験研究機関） 大企業は、資本金3億円以上または従業員300人以上 技術相談 合計 機関内 0 0 0 0 0 0 11 1 11 1 144 70 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 11 1 11 1 144 70 大学 機関内 技術代行 大企業 中小 公 機関内 企業 2 2 15 1 1 10 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 2 2 15 1 1 10 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 合計 機関内 0 0 0 0 0 0 2 1 2 1 15 10 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 2 1 2 1 15 10 大学 機関内 大企業 中小 公 機関内 企業 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 合計 機関内 0 0 0 0 0 0 2 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 2 0 2 0 0 0 総計 機関内 0 0 0 0 0 0 20 2 20 2 163 80 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 20 2 20 2 163 80 合計 機関内 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 総計 機関内 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 平成19年度支援実績(H20年3月末時点） 自主事業 支援状況 拠点名 支援機関 名 支援機能名 申請件数 支援件数 計測・分析 支援日数 申請件数 支援件数 超微細加工支援日数 中部地 申請件数 区ナノ 豊田工業 支援件数 テク総 大学 分子合成 支援日数 合支援 申請件数 支援件数 極限環境 支援日数 申請件数 支援件数 支援日数 計 注１： 注２： 注３： 注４： 注５： 注６： 利用形態 利用機関 共同研究 装置利用 大学 公 合計 大学 公 合計 大学 公 大企業 中小 大企業 中小 大企業 中小 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 企業 企業 企業 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 空欄に数値を記入してください 機関内利用は内数として（機関内）に記入下さい 一つの採択テーマにおいて複数回支援した場合は一つと数える。ただしその支援が複数機関、あるいは同一機関内でも複数領域にまたがる場合はそれぞれ別に数える 大学は大学、高等専門学校等の教育機関 公は公的研究機関（国研、独法、財団、地方自治体等の試験研究機関） 大企業は、資本金3億円以上または従業員300人以上 29頁 技術相談 合計 機関内 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 大学 機関内 0 0 0 0 0 0 技術代行 公 大企業 中小 機関内 企業 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 合計 機関内 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 大学 機関内 0 0 0 0 0 0 公 大企業 中小 機関内 企業 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 平成19年度課金実績(H20年3月末時点） 委託事業 支援 利用形態 利用機関 共同研究 装置利用 大企業 中小 大企業 中小 大企業 中小 大学 公 合計 大学 公 合計 大学 公 合計 支援機関 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 名 企業 企業 企業 拠点名 支援機能名 金額（円） 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 件数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 計測・分析 日数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 金額（円） 0 0 0 0 214630 0 214630 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 214630 0 214630 0 件数 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 超微細加工 日数 0 0 0 0 2 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 2 0 2 0 中部 地区 金額（円） 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 豊田工業 ナノテ 件数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 大学 ク総合 分子合成 日数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 支援 金額（円） 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 件数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 極限環境 日数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 金額（円） 0 0 0 0 214630 0 214630 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 214630 0 214630 0 件数 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 日数 0 0 0 0 2 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 2 0 2 0 計 注１： 空欄に数値を記入してください 注２： 機関内利用は内数として（機関内）に記入下さい 注３： 一つの採択テーマにおいて複数回支援した場合は一つと数える。ただしその支援が複数機関、あるいは同一機関内でも複数領域にまたがる場合はそれぞれ別に数える 注４： 大学は大学、高等専門学校等の教育機関 注５： 公は公的研究機関（国研、独法、財団、地方自治体等の試験研究機関） 注６： 大企業は、資本金3億円以上または従業員300人以上 技術相談 技術代行 大企業 中小 公 機関内 企業 大学 機関内 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 合計 機関内 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 大学 機関内 大企業 中小企 公 機関内 業 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 合計 総計 機関内 機関内 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 214630 0 0 0 1 0 0 0 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 214630 0 0 0 1 0 0 0 2 0 平成19年度課金実績(H20年3月末時点） 自主事業 支援 利用形態 利用機関 共同研究 装置利用 大学 公 合計 大学 公 合計 大学 公 支援機関 大企業 中小 大企業 中小 大企業 中小 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 機関内 名 企業 企業 企業 拠点名 支援機能名 金額（円） 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 件数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 計測・分析 日数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 金額（円） 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 件数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 超微細加工 日数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 中部 地区 金額（円） 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 豊田工業 ナノテ 件数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 大学 ク総合 分子合成 日数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 支援 金額（円） 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 件数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 極限環境 日数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 金額（円） 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 件数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 日数 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 計 注１： 空欄に数値を記入してください 注２： 機関内利用は内数として（機関内）に記入下さい 注３： 一つの採択テーマにおいて複数回支援した場合は一つと数える。ただしその支援が複数機関、あるいは同一機関内でも複数領域にまたがる場合はそれぞれ別に数える 注４： 大学は大学、高等専門学校等の教育機関 注５： 公は公的研究機関（国研、独法、財団、地方自治体等の試験研究機関） 注６： 大企業は、資本金3億円以上または従業員300人以上 30頁 技術相談 合計 機関内 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 技術代行 公 大企業 中小 機関内 企業 大学 機関内 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 合計 機関内 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 大学 機関内 公 大企業 中小企 機関内 業 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 合計 機関内 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 総計 機関内 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
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