‫ﺑﺴﻢ اﷲ اﻟﺮﺣﻤﻦ اﻟﺮﺣﻴﻢ‬
‫ﺗﻤﺮﻳﻦ ﻋﻤﻠﻲ دوم )ﭘﺮوژهي ﻧﻬﺎﻳﻲ(‬
‫اﻳﻦ ﺗﻤﺮﻳﻦ ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي ﺣﺎﻓﻈﻪي ‪ DRAM‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻧﺮماﻓﺰار ‪ Hspice‬ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ﻧﻜﺎﺗﻲ درﺑﺎرهي ﺳﺎﺧﺘﺎر اﺻﻠﻲ ﺣﺎﻓﻈﻪ‪:‬‬
‫ در ﺷﻜﻞ زﻳﺮ ﻛﻞ درﮔﺎهﻫﺎي اﻳﻦ ﺣﺎﻓﻈﻪ را ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﻲﻛﻨﻴﺪ‪:‬‬‫‪DRAM16_8‬‬
‫]‪Data_out[7..0‬‬
‫]‪Data_In[7..0‬‬
‫]‪Addr[3..0‬‬
‫‪CS‬‬
‫‪WR‬‬
‫‪RD‬‬
‫‪S‬‬
‫‪P‬‬
‫‪OE‬‬
‫‪VDD‬‬
‫‪VSS‬‬
‫‪VDD/2‬‬
‫‪inst‬‬
‫ ‪ :Data_In‬ورودي ‪ 8‬ﺑﻴﺘﻲ ﻛﻪ ﺑﺮاي ﻧﻮﺷﺘﻦ در ﺣﺎﻓﻈﻪ آﻣﺎده ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ ‪ :Addr‬ورودي ‪ 4‬ﺑﻴﺘﻲ ﻛﻪ آدرس ﻧﻮﺷﺘﻦ ﻳﺎ ﺧﻮاﻧﺪن را ﻓﺮاﻫﻢ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪.‬‬
‫ ‪ :CS‬ورودي ‪ Addr‬ﺑﻪ ﺷﺮﻃﻲ ﻣﻌﺘﺒﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد ﻛﻪ اﻳﻦ ورودي "‪ "1‬ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ ‪ :WR‬ﻣﻮﻗﻌﻲ ﻛﻪ ﻗﺼﺪ ﻧﻮﺷﺘﻦ در ﺣﺎﻓﻈﻪ را دارﻳﻢ‪ ،‬اﻳﻦ ورودي را "‪ "1‬ﻣﻲﻛﻨﻴﻢ‪.‬‬
‫ ‪ :RD‬ﻣﻮﻗﻌﻲ ﻛﻪ ﻗﺼﺪ ﺧﻮاﻧﺪن از ﺣﺎﻓﻈﻪ را دارﻳﻢ‪ ،‬اﻳﻦ ورودي را "‪ "1‬ﻣﻴﻜﻨﻴﻢ‪.‬‬
‫ ‪ :S‬ﻓﻌﺎل ﺳﺎز ﻣﺪار ‪ Sense Amplifier‬ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ ‪ :P‬ﻓﻌﺎل ﺳﺎز ﻣﺪار ‪ Pre charge‬ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ ‪ :OE‬ﻣﻮﻗﻌﻲ ﻛﻪ "‪ "1‬ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻣﻘﺪار ﺧﺮوﺟﻲ ﻣﻌﺘﺒﺮ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ ‪ 1 :VDD‬وﻟﺖ‬
‫ ‪ 0 :VSS‬وﻟﺖ‬
‫ ‪ :VDD/2‬ﻳﻚ وﻟﺘﺎژي ﺑﻴﻦ ‪ 0‬و ‪ ،1‬ﻣﺜﻼ ﻣﻲﺗﻮاﻧﻴﺪ ‪ 0.5‬در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪.‬‬
‫ﺗﻤﺮﻳﻦ ﻋﻤﻠﻲ دوم )ﭘﺮوژهي ﻧﻬﺎﻳﻲ(‬
‫ ‪ :Data_out‬ﺧﺮوﺟﻲ ‪ 8‬ﺑﻴﺘﻲ ﻛﻪ ﻣﻘﺪار ﺧﻮاﻧﺪه ﺷﺪه از ﺣﺎﻓﻈﻪ ﺑﺎ آدرﺳﻲ ﻛﻪ ورودي ‪ Addr‬ﻓﺮاﻫﻢ ﻣﻲﻛﻨﺪ‪ ،‬در ﺻﻮرت‬
‫ﻓﻌﺎل ﺑﻮدن ‪ ،OE‬روي آن ﻗﺮار ﻣﻲﮔﻴﺮد‪.‬‬
‫ﻧﻜﺎﺗﻲ دﻳﮕﺮ ‪:‬‬
‫‪-‬‬
‫اﻳﻦ ﺣﺎﻓﻈﻪ از ‪ 16‬ﺳﻄﺮ ‪ 8‬ﺑﻴﺘﻲ ﺗﺸﻜﻴﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪-‬‬
‫ﺧﻮاﻧﺪن از ﺣﺎﻓﻈﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﺑﻪﮔﻮﻧﻪاي ﺑﺎﺷﺪ ﻛﻪ دادهي درون ﺣﺎﻓﻈﻪ از ﺑﻴﻦ ﻧﺮود‪) .‬ﺧﻮاﻧﺪن ﻣﺠﺪد ﻳﻚ داده ﻣﻤﻜﻦ ﺑﺎﺷﺪ‪(.‬‬
‫‪-‬‬
‫ﺧﻮاﻧﺪن )ﻧﻮﺷﺘﻦ( از )در( ﺣﺎﻓﻈﻪ ﺑﻪﺻﻮرت ﻣﻮازي )ﻫﺮ ‪ 8‬ﺑﻴﺖ ﺑﺎ ﻫﻢ( اﺟﺮا ﻣﻲﺷﻮد‪.‬‬
‫ﻣﻮارد ﺗﺤﻮﻳﻠﻲ‬
‫‪-‬‬
‫ﻛﺪﻫﺎي ﻣﺪار‬
‫‪-‬‬
‫ﺗﻮﻟﻴﺪ ورودي ﺑﺮاي ﺣﺎﻟﺖﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻛﺎر ﺑﺎ ﺣﺎﻓﻈﻪ و ارﺳﺎل ﻋﻜﺲ ﺷﻜﻞ ﻣﻮجﻫﺎي ﺧﺮوﺟﻲ‬
‫‪-‬‬
‫ﻣﺤﺎﺳﺒﻪي دﻗﻴﻖ ﻣﻮارد زﻳﺮ‪:‬‬
‫‪-‬‬
‫•‬
‫ﺗﺎﺧﻴﺮ ﺧﻮاﻧﺪن ﻣﻘﺪار "‪"1‬‬
‫•‬
‫ﺗﺎﺧﻴﺮ ﺧﻮاﻧﺪن ﻣﻘﺪار "‪"0‬‬
‫•‬
‫ﻧﻮﺷﺘﻦ ﻣﻘﺪار "‪ "0‬ﻣﻮﻗﻌﻲ ﻛﻪ ﻣﻘﺪار ﻗﺒﻠﻲ ﺣﺎﻓﻈﻪ"‪ "1‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫•‬
‫ﻧﻮﺷﺘﻦ ﻣﻘﺪار "‪ "1‬ﻣﻮﻗﻌﻲ ﻛﻪ ﻣﻘﺪار ﻗﺒﻠﻲ ﺣﺎﻓﻈﻪ "‪ "0‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﻣﺤﺎﺳﺒﻪي ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﻲ ﻣﺪار در ﺣﺎﻻت زﻳﺮ‪:‬‬
‫•‬
‫ﻧﻮﺷﺘﻦ "‪ "0‬در ﺣﺎﻓﻈﻪ‪ ،‬زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ ﻣﻘﺪار ﻗﺒﻠﻲ ﺣﺎﻓﻈﻪ "‪ "1‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫•‬
‫ﻧﻮﺷﺘﻦ "‪ "1‬در ﺣﺎﻓﻈﻪ‪ ،‬زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ ﻣﻘﺪار ﻗﺒﻠﻲ ﺣﺎﻓﻈﻪ "‪ "0‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫•‬
‫ﻧﻮﺷﺘﻦ "‪ "0‬در ﺣﺎﻓﻈﻪ‪ ،‬زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ ﻣﻘﺪار ﻗﺒﻠﻲ ﺣﺎﻓﻈﻪ "‪ "0‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫•‬
‫ﻧﻮﺷﺘﻦ "‪ "1‬در ﺣﺎﻓﻈﻪ‪ ،‬زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ ﻣﻘﺪار ﻗﺒﻠﻲ ﺣﺎﻓﻈﻪ "‪ "1‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫•‬
‫ﺧﻮاﻧﺪن "‪ "0‬از ﺣﺎﻓﻈﻪ‬
‫ﺗﻤﺮﻳﻦ ﻋﻤﻠﻲ دوم )ﭘﺮوژهي ﻧﻬﺎﻳﻲ(‬
‫‪-‬‬
‫•‬
‫ﺧﻮاﻧﺪن "‪ "1‬از ﺣﺎﻓﻈﻪ‬
‫•‬
‫زﻣﺎﻧﻲ ﻛﻪ ﺣﺎﻓﻈﻪ ﺑﻲﻛﺎر اﺳﺖ‪) .‬ﻧﻪ ﻋﻤﻞ ﺧﻮاﻧﺪن ﺻﻮرت ﻣﻲﮔﻴﺮد‪ ،‬ﻧﻪ ﻧﻮﺷﺘﻦ(‬
‫ﻣﺴﺘﻨﺪﺳﺎزي ﻛﺎر ﺷﺎﻣﻞ ﻧﺤﻮهي ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻛﺎر‪ ،‬ﻣﺨﺘﺼﺮي از ﻧﺤﻮهي ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﺪار‪ ،‬ﻣﺸﻜﻼت ﭘﻴﺶآﻣﺪه در ﭘﻴﺎدهﺳﺎزي‪ ،‬و ﻧﻴﺰ‬
‫ﺷﻜﻞ ﻣﻮجﻫﺎ و ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي ﻓﻮق اﻟﺬﻛﺮ‬
‫ﻣﻼﺣﻈﺎت‪:‬‬
‫‪-‬‬
‫ﻣﺪار را ﺑﻪﺻﻮرت ﺳﻠﺴﻠﻪ ﻣﺮاﺗﺒﻲ ﻃﺮاﺣﻲ ﻛﻨﻴﺪ‪ .‬در ﻃﺮاﺣﻲ ﺧﻮد از ‪ sub-circuit‬اﺳﺘﻔﺎده ﻛﻨﻴﺪ ﺗﺎ اﻣﻜﺎن اﺳﺘﻔﺎدهي ﻣﺠﺪد‬
‫از ﻛﺪ وﺟﻮد داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫‪-‬‬
‫ﻣﺎﻛﺰﻳﻤﻢ ﺗﺎﺧﻴﺮ ﻧﻮﺷﺘﻦ ﻳﺎ ﺧﻮاﻧﺪن ﺣﺎﻓﻈﻪ ﺷﻤﺎ ﺑﺎﻳﺪ ﻛﻢﺗﺮ از ‪ 1.3‬ﻧﺎﻧﻮ ﺛﺎﻧﻴﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫‪-‬‬
‫ﻣﺎﻛﺰﻳﻤﻢ ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﻲ ﺣﺎﻓﻈﻪ ﺑﺎﻳﺪ از ﻛﻢﺗﺮ‪ 0.1‬ﻣﻴﻠﻲ وات ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫‪-‬‬
‫ﺗﻼش ﺑﺮاي ﻛﺎﻫﺶ ﺗﺎﺧﻴﺮ ﻧﻤﺮهي اﺿﺎﻓﻲ دارد‪.‬‬
‫‪-‬‬
‫ﺗﻼش ﺑﺮاي ﻛﺎﻫﺶ ﺗﻮان ﻣﺼﺮﻓﻲ ﻧﻤﺮهي اﺿﺎﻓﻲ دارد‪.‬‬
‫‪-‬‬
‫ﺑﻪ ﮔﺮوﻫﻲ ﻛﻪ ﺑﻬﺘﺮﻳﻦ ﻣﺼﺎﻟﺤﻪ را ﺑﻴﻦ ﺗﻮان و ﺗﺎﺧﻴﺮ اﻧﺠﺎم دﻫﺪ‪ ،‬ﻧﻤﺮه اﺿﺎﻓﻲ ﻣﻲدﻫﻴﻢ‪.‬‬
‫‪-‬‬
‫ﻃﺮاﺣﻲ ﺑﺎ ﺗﻜﻨﻮﻟﻮژي ‪ 45‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫‪-‬‬
‫از ﻛﺘﺎﺑﺨﺎﻧﻪ ‪ 45‬ﻧﺎﻧﻮﻣﺘﺮي ﻛﻪ در ﭘﻮﺷﻪي ﭘﺮوژه ﻗﺮار داده ﺷﺪه اﺳﺖ اﺳﺘﻔﺎده ﻛﻨﻴﺪ‪ .‬ﺑﺮاي آﺷﻨﺎﻳﻲ ﺑﺎ ﭼﮕﻮﻧﮕﻲ ﻃﺮاﺣﻲ ﻣﺪار ﺑﻪ‬
‫ﻛﻤﻚ ﻛﺘﺎﺑﺨﺎﻧﻪﻫﺎ و ﭼﮕﻮﻧﮕﻲ اﻳﺠﺎد ‪ ،sub-ciruit‬ﻃﺮاﺣﻲ ﮔﻴﺖ ‪ Not‬را ﺑﻪ ﻛﻤﻚ اﻳﻦ ﻛﺘﺎﺑﺨﺎﻧﻪ در ﭘﻮﺷﻪي ﺗﻤﺮﻳﻦ ﻗﺮار‬
‫دادهاﻳﻢ‪ .‬ﺷﻤﺎ ﻣﻲﺗﻮاﻧﻴﺪ از آن اﻟﮕﻮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪.‬‬
‫‪-‬‬
‫در ﺻﻮرت داﺷﺘﻦ ﻫﺮﮔﻮﻧﻪ اﺑﻬﺎﻣﻲ ﻣﻲﺗﻮاﻧﻴﺪ ﺑﻪ آدرس ‪ [email protected]‬ﻣﻴﻞ ﺑﺰﻧﻴﺪ‪.‬‬
‫‪-‬‬
‫در ﺻﻮرت ﻣﺸﺎﻫﺪه ﺗﺨﻠﻒ داﻧﺸﮕﺎﻫﻲ‪ ،‬ﺑﻪ اﻧﺪازه ﻛﻞ ﻧﻤﺮه ﭘﺮوژه و ﺗﻤﺮﻳﻦﻫﺎ از ﻧﻤﺮه ﻧﻬﺎﻳﻲ ﻛﺴﺮ ﺧﻮاﻫﺪ ﺷﺪ‪.‬‬
‫‪-‬‬
‫اﻳﻦ ﭘﺮوژه‪ ،‬ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺴﺎﺑﻘﻪ دارد‪ .‬ﮔﺮوه ﻫﺎﻳﻲ ﻛﻪ ﻣﺼﺎﻟﺤﻪ و ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻛﺎر ﺑﻬﺘﺮي داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ ،‬اﻳﺪهﻫﺎي ﺟﺎﻟﺐ و ﺗﺎﺛﻴﺮ ﮔﺬار زده‬
‫ﺑﺎﺷﻨﺪ و ‪ ...‬ﻧﻤﺮه اﺿﺎﻓﻲ ﺑﻴﺶﺗﺮي ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﮔﺮﻓﺖ‪.‬‬
‫‪-‬‬
‫ﻣﻮﻋﺪ ﺗﺤﻮﻳﻞ ‪ 13‬ﺑﻬﻤﻦ ﺧﻮاﻫﺪ ﺑﻮد‪.‬‬
‫ﺗﻤﺮﻳﻦ ﻋﻤﻠﻲ دوم )ﭘﺮوژهي ﻧﻬﺎﻳﻲ(‬
‫‪-‬‬
‫ﺗﺤﻮﻳﻞ ﺣﻀﻮري ﭘﺮوژه ‪ 14‬ﺑﻬﻤﻦ ﻣﻲﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫‪-‬‬
‫ﻛﻞ ﻓﺎﻳﻞﻫﺎي ﭘﺮوژه ﺑﻪ ﻫﻤﺮاه ﻣﻮارد ﺧﻮاﺳﺘﻪ ﺷﺪه را در ﻳﻚ ﻓﺎﻳﻞ ﻓﺸﺮده ﺑﺎ ﻧﺎم‪ SN1_SN2_FinalProject.zip ،‬ﻗﺒﻞ‬
‫از ﺑﻪ ﺳﺮ آﻣﺪن ﻣﻬﻠﺖ ﺗﺤﻮﻳﻞ ﺑﻪ آدرس ‪ [email protected]‬ﻣﻴﻞ ﻛﻨﻴﺪ‪ .‬ﻟﻄﻔﺎ ﻣﻮﺿﻮع ﻣﻴﻞ را ﻫﻤﺎن اﺳﻢ ﻓﺎﻳﻞ‬
‫ﻗﺮار دﻫﻴﺪ‪.‬‬
‫ﻣﻮﻓﻖ ﺑﺎﺷﻴﺪ‬